Même en continuant d'utiliser les transistors FinFET, TSMC n'aura finalement pas réussi à battre son concurrent Samsung dans la nouvelle bataille de la gravure en 3 nm.
Le groupe coréen a été le premier à se lancer dans l'aventure dès l'été 2022 en proposant directement la technologie des nouveaux transistors GAA (Gate All Around) et baptisés dans son cas particulier MBCFET (Multi-Bridge Channel FET), et que l'on ne trouvera chez TSMC qu'à partir du noeud 2 nm.
Après avoir brillé sur les noeuds 7 nm et leurs dérivés 5 nm puis 4 nm, TSMC peut compter sur son leadership, ses capacités de production et son grand nombre de clients, dont certains sont capables de commander des dizaines de millions de puces, pour conserver l'avantage.
Toutefois, la firme taiwanaise avait promis de lancer la production de masse pour la gravure en 3 nm au mois de septembre 2022. Ce calendrier tardif, déjà en décalage par rapport aux annonces du marché de l'industrie mobile, vient d'être de nouveau reporté au dernier trimestre de l'année.
Assurer les volumes
Disposer d'une technologie avancée est une chose mais pouvoir en assurer une production en grand volume en est une autre et ce sont justement de hauts rendements que promet TSMC pour compenser le retard accumulé et conserver les clients dans son giron, tandis que Samsung doit batailler avec son procédé tout neuf pour améliorer ses rendements.
Le retard serait d'ailleurs surtout lié à une demande dépassant très fortement les capacités et le retard d'acheminement et de mise en servic des équipements nécessaires.
Samsung se lance dans la gravure en 3 nm (juin 2022)
Il faut également tenir compte de la problématique du ralentissement des ventes de PC et de smartphones qui induisent des excès de stocks affectant les ventes de composants gravés en 7 nm et 5 nm.
Cet effet se ressent beaucoup moins pour la demande en composants destinés aux datacenters et au secteur automobile, ce qui devrait permettre au fondeur de résister dans le trou d'air attendu des semi-conducteurs en 2023.
La gravure en 2 nm n'est déjà plus très loin
Malgré tout, TSMC a réaffirmé sa confiance dans ses techniques et assure que le noeud 3 nm est là pour durer, avec déjà une première évolution passant de N3 à N3E assez rapidement.
Par ailleurs, la stratégie est toujours de proposer la gravure en 2 nm dès 2025 en abandonnant cette fois les transistors FinFET pour des GAAFET, mieux adaptés aux gravures très fines.
Samsung ne sera pas inactif et proposera lui aussi de la gravure en 2 nm à la même période. Profitera-t-il de nouveau d'un trimestre ou d'un quasi-semestre d'avance ? La firme souhaite en tous les cas avancer rapidement et se dit en position de proposer de la gravure en 1,4 nm à partir de 2027.
