La gravure en 10 nm FinFET fraîchement lancée et celle en 7 nm FinFET sur le point de prendre le relais en 2018, le fondeur taiwanais TSMC pense déjà à la suite, c'est-à-dire à la gravure en 3 nm, et prend les premières dispositions.
Le projet, qui doit prendre place sur un espace de 50 à 80 hectares, devrait coûter au moins 500 milliards de dollars de Taiwan (environ 15,7 milliards de dollars) pour une mise en service durant la prochaine décennie.
TSMC avait annoncé vouloir passer aux noeuds de gravure 5 à 3 nm à l'horizon 2022. Le fondeur veut aller vite pour des raisons économiques. Le site EE Times rappelle ainsi que les technologies de gravure les plus avancées apportent l'essentiel de la croissance du marché, quand l'activité de gravure à des noeuds plus élevés (au-delà de 40 nm) a plutôt tendance à stagner.
L'annonce de TSMC met aussi un terme aux spéculations voulant que le fondeur envisage d'installer son site de gravure en 3 nm aux Etats-Unis, au cas où les contraintes d'exploitation (approvisionnement en eau et en électricité, notamment) seraient trop complexes pour envisager une installation à Taiwan.
Avant de lancer la gravure en 3 nm, c'est la gravure en 7 nm FinFET qui va connaître un début d'exploitation à partir de 2018 et devrait constituer une plate-forme stable pour plusieurs années, après les passages rapides du 14/16 nm au 10 nm puis au 7 nm. La gravure en 5 nm, intermédiaire, pourrait arriver d'ici 2019.
