Les fabricants de smartphones conservent de moins en moins le secret sur leurs appareils mobiles de référence et, face aux très nombreuses fuites émergeant parfois des mois avant les annonces, certains finissent par prendre les devants et à dévoiler en amont certains aspects.

C'est ce que tente Xiaomi pour son modèle de référence Xiaomi Mi 9. Après en avoir dévoilé une bonne partie du design, et constatant peut-être l'importance des fuites déjà diffusées, le fabricant lâche des informations sur Twitter.

Il évoque ainsi pour son modèle une bande noire à la base de l'écran réduite de 40% par rapport à celle du Mi 8, dégageant un peu plus d'espace pour la surface d'affichage.

Le SoC Snapdragon 855 est également mis à l'honneur. Gravé en 7 nm, il apportera une nouvelle progression dans les performances. Sa présence à bord du Xiaomi Mi 9 est directement confirmée par Wang Xiang, de même que ses performances sur le benchmark AnTuTu.

Xiaomi revendique ainsi un score de 387 851 points. C'est au-dessus des 361 000 points que nous avons mesurés en janvier lors de la session de benchmarking sur un smartphone de référence et c'est bien sûr bien au-delà des 280 000 points constatés pour le Xiaomi Mi 8 sous Snapdragon 845.

Même s'il faut rester prudent sur l'interprétation de ce résultat (et sur la capacité à le gonfler artificiellement), le Xiaomi Mi 9 devrait s'avérer significativement plus performant que le Mi 8 en profitant de la gravure en 7 nm de TSMC pour contenir sa consommation d'énergie. Nous ne manquerons pas de vérifier ce score le moment venu.