Semiconducteurs : Globalfoundries prépare sa gravure 10 nm...mais sans Samsung

Le par  |  0 commentaire(s) Source : Digitimes
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Pour contrer TSMC sur la gravure 16 nm, Samsung et Globalfoundries se sont associés pour fournir une gravure 14 nm. Mais pour le noeud suivant à 10 nm, Globalfoundries ne veut plus de Samsung.

Wafer_Silicium-GNT.Pour prendre des parts de marché au fondeur taiwanais géant TSMC et tenter de récupérer certains de ses clients, Samsung et Globalfoundries ont fait alliance pour développer une technologie de gravure en 14 nm FinFET que les deux entreprises ont pu proposer six mois avant l'arrivée du 16 nm FinFET de leur concurrent.

Si elles ont pu effectivement se positionner tôt sur ce niveau de gravure et récupérer d'importantes commandes, notamment chez Apple, Qualcomm ou AMD, TSMC a su conserver certains acteurs importants comme Nvidia.

Le rapprochement entre Globalfoundries et Samsung pour réduire les importants coûts de développement des technologies de gravure ne devrait cependant pas être retenté pour la prochaine étape, celle de la gravure en 10 nm.

Le site Digitimes relève que Globalfoundires n'a que moyennement apprécié le partenariat avec Samsung et n'y a pas autant de synergies qu'espéré. Après avoir été débordé par l'arrivée précoce du 14 nm FinFET, TSMC a su monter en cadence sur le 16 nm FinFET et regagner des commandes auprès de Qualcomm et AMD.

Aussi, pour la gravure en 10 nm, Globalfoundries aurait décidé de faire cavalier seul et de développer la technologie en interne, sans l'aide de Samsung. Ce choix est aussi dicté par le fait que le développement de sa propre technologie en exploitant la propriété intellectuelle d'IBM (dont Globalfoundries a racheté la division semiconducteurs) serait moins coûteux que de verser à Samsung des droits de licence.

La bataille ne s'en annonce pas moins rude, TSMC ayant montré à plusieurs reprises son intention de passer rapidement lui aussi à la gravure 10 nm dès la fin de l'année 2016, marquant une évolution rapide du 16 nm vers le 10 nm.

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