Mémoire PCM : Numonyx prêt pour des modules 1 Gb

Le par  |  0 commentaire(s) Source : EE Times
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Le spécialiste de la mémoire Numonyx n'a pas dit son dernier mot dans la course à la fourniture de mémoires PCM. Face à Samsung qui produit déjà en masse des modules 512 Mb, ce sont des modules 1 Gb qui seront disponibles en échantillons au premier trimestre 2010 et en volume plus tard dans l'année.

Numonyx logoLa mémoire PCM ( mémoire à changement de phase ), ou PRAM, représente l'un des avenirs possibles de la mémoire Flash. Plus rapide, toujours non volatile mais pouvant être gérée bit par bit et non plus bloc par bloc comme la mémoire Flash NAND ou NOR, elle est vue comme combinant les avantages de la mémoire DRAM et ceux de la mémoire Flash.

Son marché est encore quasiment inexistant même s'il ne fait aucun doute que les fabricants de chipsets mobiles et les fabricants de terminaux surveillent déjà de près ses évolutions et certaines sociétés commencent à commercialiser des solutions.

C'est le cas notamment de Numonyx, co-entreprise réunissant les activités mémoire d' Intel et de STMicroelectronics, et de Samsung, l'un des plus gros fournisseurs de mémoire Flash au monde. Tout en s'étant rapprochées pour tenter de mettre en place un standard d'interface pour la PCM, les deux sociétés n'en sont pas moins concurrentes et jouent des coudes pour mettre en avant leurs produits.

PCM comparaison
Comparaison des différents types de mémoire (source : Numonyx)

Numonyx avait pris un peu d'avance grâce à la commercialisation de modules de PCM 128 Mb ( 16 Mo ) gravée en 90 nm et reposant sur le prototype Alverstone dévoilé en 2006, mais Samsung n'a pas tardé à répliquer en lançant la production en masse de modules PCM 512 Mb ( 64 Mo ) gravée en 65 nm durant l'été.

Cette mémoire doit pouvoir équiper les téléphones portables et autres gadgets électroniques en leur apportant plus de réactivité tout en consommant moins d'énergie, avec une estimation d'autonomie améliorée de 20%.


La PCM, alternative à la DRAM et à la mémoire Flash NOR
Dans la course aux capacités et aux procédés de gravure, Numonyx n'a pas dit son dernier mot. Le site EE Times a eu confirmation de la disponibilité d'échantillons de mémoire PCM 1 Gb ( 128 Mo ) gravée en 45 nm dès le premier trimestre 2010, avant une production en masse plus tard dans l'année.

Cela reste inférieur à la finesse de gravure annoncée il y a peu par Samsung pour la mémoire Flash NAND, pour laquelle le fondeur prétend pouvoir descendre à 30 nm avec une densité record de 3 bits par cellule pour des modules MLC ( Multi Level Cell ).

Citant Paolo Cappelletti, vice-président des développements technologiques de Numonyx, EE Times indique que le marché de la mémoire PCM ne vise pas forcément à remplacer complètement celui de la mémoire Flash NAND, mais plutôt à servir de remplacement à la mémoire DRAM et au Flash NOR.

La mémoire PCM sera notamment intéressante pour les ordinateurs à démarrage instantané et les netbooks quand les prix par rapport à la DRAM seront devenus attractifs. Encore faut-il que l'industrie soit intéressée par ce nouveau type de mémoire.

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