SnapDragon 815 : la prochaine plate-forme de Qualcomm octocore gravée en FinFET ?

Le par  |  2 commentaire(s) Source : GizmoChina
SnapDragon

La plate-forme SnapDragon 815 se dévoile encore un peu officieusement et suggère un passage à une gravure en 16 nm FinFET.

La nouvelle plate-forme SnapDragon 810 de Qualcomm commence à être présente dans les smartphones haut de gamme des fabricants mais elle a brillé par son absence au sein des Galaxy S6 et Galaxy S6 Edge de Samsung, qui lui a préféré ses propres processeurs Exynos 7.

Ce revers pour le groupe américain a impacté ses perspectives financières et a généré une certaine incertitude sur les raisons de cette mise à l'écart. Des rumeurs de surchauffe du processeur ont été évoquées mais elles ont régulièrement été démenties et la présence du SoC dans les smartphones de plusieurs grandes marques a finalement calmé les critiques.

SnapDragon Pour la suite, Qualcomm a déjà commencé à communiquer sur une plate-forme SnapDragon 820 qui exploitera des coeurs spécifiques Kryo au lieu de coeurs standard ARM Cortex-A53 / A57 et sera gravée avec des transistors 3D (FinFET).

Avant ce nouveau monstre de puissance et d'ingénierie qui n'arrivera pas avant 2016, il pourrait y avoir une version intermédiaire dans la roadmap du groupe. Plusieurs sources ont en effet déjà fait état d'un processeur SnapDragon 815 qui devrait rester sur une structure octocore à base de 4 coeurs ARM Cortex-A53 et 4 coeurs ARM Cortex-57 mais en configuration big.LITTLE.

Le site GizmoChina, à l'origine de la roadmap dévoilée en janvier, affirme avoir obtenu de nouvelles informations sur cette plate-forme. La puce SnapDragon 815 disposerait bien de coeurs ARM Cortex-A53 et A57 mais qui pourraient connaître des optimisations par rapport à l'architecture standard et il devrait embarquer une nouvelle génération de processeur graphique Adreno.

Si le SoC SnapDragon 810 embarque une partie graphique Adreno 430, la roadmap de janvier évoquait un Adreno 450 pour le SnapDragon 815 et un Adreno 530 pour le SnapDragon 820.

Par ailleurs, GizmoChina évoque une gravure FinFET, ce qui pourrait signifier que le processeur SnapDragon 815 sera gravé en 16 nm FinFET, technologie proposée par le fondeur TSMC, à moins que Qualcomm n'ait basculé vers Samsung et son 14 nm FinFET.

A noter cependant que le SnapDragon 815 ne devrait pas être proposé avant le second semestre 2015 pour ne pas cannibaliser l'actuel SnapDragon 810.

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Vos commentaires

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Le #1838109
Les "rumeurs" de chauffe ne semblent pas qu'être des "rumeurs". Quand le proc tourne à sa fréquence nominale, il chauffe (voir Xiaomi). Il ne chauffe plus en diminuant la fréquence, ce qui est possible avec certaines ROM. Il demeure donc un vrai problème avec ce proc.
Le #1838111
" la présence du SoC dans les smartphones de plusieurs grandes marques a finalement calmé les critiques. "

Euh ... les critiques reviennent toutes sur la surchauffe du composant, je ne vois pas comment on peut dire qu'elles ont étés calmées.
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Anonyme
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