Semiconducteurs : TSMC devant Samsung sur les transistors 3D FinFET...mais à partir de 2016

Le par  |  0 commentaire(s) Source : Digitimes
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Après le noeud 20 nm, les fondeurs sont à la bagarre pour s'imposer sur le noeud plus fin à 10 nm. Le taiwanais TSMC devrait devenir leader sur le FinFET à partir de 2016, mais il faudra d'abord laisser Samsung passer devant.

Les grands fondeurs se préparent à proposer des technologies de gravure sur le noeud 10 nm et en FinFET (transistors 3D). Les deux grands acteurs dans la mobilité sont Samsung (gravure 14 nm FinFET) et TSMC (gravure 16 nm FinFET) qui vont commencer à  produire en masse cette année.

TSMC logo La lutte est donc engagée et pourrait commencer par la fourniture du prochain processeur mobile d'Apple (Apple A9) et le couple Samsung / GlobalFoundries devrait être le mieux placé en 2015 pour en profiter. Cependant, TSMC devrait reprendre l'avantage sur le FinFET à partir de 2016 à la faveur de la mise en service d'importantes capacités de production.

TSMC anticipe ainsi de dominer sur le segment FinFET au moins jusqu'en 2018 et affirme déjà compter plus de 50 clients pour sa technologie de gravure 16 nm FinFET dont les capacités seront pleinement opérationnelles à partir du troisième trimestre 2015.

Cependant, la production en 16 nm est déjà lancée pour un client, a indiqué le fondeur, sans préciser son nom (Apple, Qualcomm ?), même si la production se fera par la suite en 16 nm FinFET Plus. TSMC n'a pas non plus fait de commentaires sur les rumeurs persistantes d'un arrêt de la pré-production des nouveaux processeurs de Qualcomm, par ailleurs démenties par l'intéressé.

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