Pour conserver Apple parmi ses clients, le fondeur taiwanais TSMC avance très vite sur les techniques de gravure. La firme le peut d'autant plus qu'elle est restée sur la technologie de transistor FinFET pour sa gravure en 3 nm, quand son concurrent Samsung a déjà basculé sur l'évolution GAAFET qui a nécessité de nouveaux procédés et lignes de production, limitant ses capacités en volume et en rendement.
Après avoir été le premier à proposer la gravure en 3 nm à grande échelle avec le procédé N3 puis l'avoir déjà amélioré une première fois avec le procédé N3E qui profite au processeur Apple M4 et devrait servir de référence aux premiers processeurs mobiles en 3 nm pour Android, TSMC prépare déjà la troisième génération, dite N3P.
N3P, le meilleur de la gravure en 3 nm
Après avoir lancé la production de masse de la gravure en N3E fin 2023, le fondeur annonce déjà la transition vers la technique N3P pour la fin de l'année 2024. N3E permet déjà des progrès en coût de production et en rendement mais au détriment de la densité de transistors.
La technique N3P améliorera ce paramètre important pour la miniaturisation des composants et continuera d'optimiser légèrement les performances et la réduction de consommation d'énergie.
Les premières puces gravées selon le procédé N3P devraient arriver en 2025 et on peut penser qu'Apple profitera de nouveau en premier de cette innovation, peut-être pour un SoC Apple A19 et un nouveau processeur ARM Apple M5 si les calendriers sont respectés et ne se heurtent pas.
La gravure en 2 nm n'est plus très loin
Pour le moment, TSMC indique que les rendements en N3P sont proches de ceux de la technique de gravure actuelle N3E et il reste quelques mois pour les optimiser. Le fondeur a bon espoir de voir les projets de puces en N3 migrer vers le N3P.
Derrière, TSMC prépare une dernière évolution N3X de sa gravure en 3 nm avant de basculer vers la gravure en 2 nm vers 2025 / 2026 qui imposera cette fois de passer à son tour aux transistors GAA.
