Gravure en 10 nm : Samsung passe déjà à la deuxième génération LPP

Le par  |  0 commentaire(s) Source : Business Korea
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Déjà en mesure de produire des composants en 10 nm FinFET LPE, Samsung annonce la finalisation de la deuxième génération de sa technologie de gravure qui va lui permettre de proposer du 10 nm LPP plus performant.

La course à la gravure ne faiblit pas et les fondeurs TSMC et Samsung ont été les premiers à proposer un noeud de gravure en 10 nm, déjà exploité pour certains composants comme le SoC Exynos 8895 de Samsung Electronics ou le SnapDragon 835 de Qualcomm.

Samsung Exynos 9 8895 (4)Cette gravure en 10 nm FinFET correspond à la première génération de la technologie, dite LPE (Low Power Early), et va évoluer à mesure que les process sont mieux maîtrisés.

Samsung vient déjà d'annoncer avoir finalisé la deuxième génération, dite 10 nm LPP (Low Power Plus), qui va permettre aux composants de gagner jusqu'à 10% de performances en plus et de réduire leur consommation d'énergie jusqu'à 15% par rapport à la gravure 10 nm de première génération.

Cette évolution va permettre d'élargir le périmètre des clients et de toucher des segments comme les objets connectés ou l'IoT. Samsung compte d'ailleurs étendre les capacités de production de l'un de ses sites en Corée du Sud pour répondre à la demande à venir, indique le Business Korea.

Mais le géant ne compte pas s'arrêter là et doit présenter dans les semaines à venir ses projets en matière de gravure sur des noeuds intermédiaires 8 nm et 6 nm qui vont permettre d'offrir des performances encore optimisées sans nécessiter les très lourds investissements associés à un nouveau noeud de gravure.

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