Semiconducteurs : pour rattraper TSMC sur la gravure 3 nm, Samsung va dépenser très gros

Le par Christian D.  |  4 commentaire(s) | Source : Bloomberg
wafer

Samsung espère revenir sur TSMC en matière de gravure de composants dans les deux années à venir. Son arme : sa capacité à investir massivement pour refaire son retard. Mais le fondeur taiwanais va vite, très vite...

C'est une stratégie affirmée au sein du groupe Samsung : faire de la division semiconducteurs le leader mondial des composants, et pas seulement des composants mémoire, en rattrapant le champion actuel : le taiwanais TSMC.

La stratégie K-Chip est en marche et le groupe coréen peut compter sur son énorme capacité d'investissement pour faire bouger les lignes et ne plus se retrouver en retrait de son concurrent.

Il compte ainsi dépenser pas moins de 116 milliards de dollars pour reprendre la main sur les technologies de gravure les plus fines, qui sont aussi les plus lucratives. La firme pense être en mesure de lancer la production de masse de composants gravés en 3 nm dès 2022 et ainsi se situer au niveau de TSMC qui a également un calendrier très serré, selon une information de Bloomberg.

wafer

En ne lâchant pas de lest sur les prochains noeuds de gravure, le géant coréen espère aussi reconquérir les commandes des très gros acteurs comme Apple ou AMD, capables de faire produire des dizaines de millions de puces.

Différences de technologies de transistor

En proposant de la gravure en 3 nm fin 2022, Samsung pourrait revenir au même niveau que TSMC et ne pas laisser quelques mois de décalage fatidiques pour les prises de commande.

Samsung gravure 3 nm 02

Le groupe aura un autre atout dans sa manche : l'utilisation d'une nouvelle technique GAA (Gate-All-Around) quand TSMC restera sur du FinFET. S'il peut espérer de meilleures performances, la différence se jouera aussi sur la capacité à obtenir des rendements suffisants à partir d'une nouvelle technologie, alors que TSMC pourra compter sur le savoir-faire acquis.

La gravure en 2 nm en avance chez TSMC

Au-delà des efforts d'investissement, Samsung sait aussi que TSMC ne pourra de toute façon pas absorber à lui seul la demande pour les composants les plus fins, ouvrant une opportunité qui pourra être ensuite creusée pour créer des relations de confiance avec ses clients.

Mais, déjà, le fondeur taiwanais se dit prêt à accélérer encore en avançant la disponibilité de sa gravure en 2 nm au second semestre 2023, au lieu de 2024, afin de couper l'herbe sous le pied de son principal concurrent.

La renversement de forces entre Samsung et TSMC pourrait donc se jouer au passage à la gravure en 3 nm et l'un des leviers sera la disponibilité des machines de lithographie EUV.

Les fournisseurs sont peu nombreux, les équipements très onéreux, et l'acteur qui parviendra à en récupérer le plus aura un avantage certain dans la bataille titanesque qui se prépare.

  • Partager ce contenu :
Complément d'information

Vos commentaires

Trier par : date / pertinence
skynet away Absent VIP icone 83221 points
Le #2113502
Passer de 3nm à 2nm c'est graver 33% plus fin, je vous dis pas le coup sur la consommation des Soc et la puissance qui va exploser avec les transistors en plus
Mouve92 offline Hors ligne VIP icone 8842 points
Le #2113503
.
" ....la disponibilité des machines de lithographie EUV..
Les fournisseurs sont peu nombreux...."
..
Ben oui, il n'y en a qu'un au monde : c'est ASML !
.
Desaunay offline Hors ligne Vétéran avatar 1257 points
Le #2113534
Rayon moyen d'un atome de silicium: 111 pico mètres. 2 nanomètres = à peine 20 atomes de rang...

Un virus du COVID fait dans les 67 nano de diamètre.

N'oublions pas d'applaudir la performance technologique, ça le mérite.
chriscombs offline Hors ligne Vétéran avatar 1508 points
Le #2113546
Ça leur couterait moins cher de faire un pont d'or aux ingénieurs de TSMC. Ce qu'ils font (et feront) probablement aussi. Les chinois récupèrent déjà une partie de leur effectif.
icone Suivre les commentaires
Poster un commentaire