Les processeurs mobiles de nouvelle génération vont passer à un noeud de gravure en 10 nm FinFET leur apportant des performances plus élevées tout en consommant moins d'énergie. Les fondeurs TSMC et Samsung sont sur les rangs pour proposer cette technologie dès 2017 et commencent à produire les premiers composants en 10 nm.

TSMC wafer Comme dans toute nouvelle évolution du noeud de gravure, la question du rendement de production est cruciale, avec un taux de rebut élevé au début et qui s'améliore dans le temps à mesure que les process sont maîtrisés.

Pour le lancement de la gravure en 10 nm, plusieurs rumeurs ont évoqué un problème de faible rendement initial aggravé par le temps court de mise en service de cette nouvelle technologie peu de temps après la gravure en 14 / 16 nm qui pourrait retarder la disponibilité des premières puces, comme SnapDragon 835 de Qualcomm ou Helio X30 de MediaTek, et notamment des processeurs mobiles haut de gamme, avec des conséquences possibles sur les lancements des smartphones et gadgets de nouvelle génération.

Le groupe TSMC s'est exprimé sur ce point et a réfuté tout problème de production. Le fondeur a indiqué que sa gravure en 10 nm était "totalement en phase" avec son calendrier et qu'elle commencera à contribuera à ses revenus dès le premier trimestre 2017.

Etant donné les conséquences éventuelles sur l'industrie mobile, il s'agit peut-être aussi de rassurer après l'article un peu alarmant de Digitimes qui suggérait que le SoC SnapDragon 835 (produit par Samsung) aurait du retard, faute de quantités suffisantes, de même que le processeur Apple A10X (produit par TSMC) censé être présent dans la prochaine génération de tablettes iPad / iPad Pro attendues au printemps 2017.

Source : EE Times Europe