Longtemps client du fondeur taiwanais TSMC pour la fabrication de ses plates-formes hardware SnapDragon, le groupe Qualcomm a basculé vers le concurrent Samsung depuis le passage au 14 nm FinFET, puis au 10 nm FinFET, utilisé pour le récent SoC SnapDragon 835.
Le groupe de San Diego aurait déjà conçu une nouvelle puce SnapDragon gravée en 7 nm, avec une production de masse envisagée d'ici la fin de l'année 2017 ou au début de l'année prochaine, après la production des premiers wafers de test d'ici septembre et une fois toutes les procédures de vérification passées.
ETNews suggère que Samsung va perdre gros avec le départ de Qualcomm à la concurrence, en partie du fait de retards dans le développement de la technologie de gravure en 7 nm. La firme coréenne aurait privilégié le 10 nm sous différentes variations alors que TSMC n'en a fait qu'un point d'étape pour mieux se concentrer sur le 7 nm. D'autres, comme Globalfoundries, ont carrément esquivé la gravure 10 nm pour miser plus vite sur le 7 nm.
Samsung devrait cependant bientôt proposer de la gravure en 8 nm, qui constitue en fait une amélioration de la technique en 10 nm. Sa prochaine génération de processeurs Exynos devrait en profiter, mais la production de masse en 7 nm chez Samsung ne se fera que durant le second semestre 2018, ce qui profitera éventuellement à un smartphone Galaxy Note 9.
