La bataille des fondeurs sur les noeuds de gravure les plus fins ne s'atténue pas tant les enjeux économiques et financiers sont cruciaux. Les gravures plus fines permettent de concevoir les puces exploitées pour la 5G ou l'intelligence artificielle en apportant de solides performances pour une consommation d'énergie réduite.
Le fondeur taiwanais TSMC a remporté la première manche en s'imposant sur la gravure en 7 nm plusieurs trimestres avant son grand concurrent Samsung mais la mise en service de la gravure en 7 nm EUV resserre les écarts.
Il faut donc continuer à descendre et ce sont déjà les gravures en 6 et 5 nm qui se préparent pour l'an prochain et l'on devrait trouver des SoC mobiles en 5 nm dès le second semestre 2020.
Si ces techniques continuent de faire appel aux transistors 3D FinFET, la migration vers le 3 nm demandera de basculer sur d'autres technologies comme le GAAFET (Gate-All-Around). Cela demande de gros investissements, avec la promesse de solides retours sur investissement pour les acteurs qui sauront s'imposer.
TSMC prépare déjà activement cette étape et le site Digitimes indique que le fondeur active ses projets en demandant la disponibilité du terrain prévu pour son site de production au Southern Taiwan Science Park dès la fin 2019, avec plusieurs mois d'avance par rapport au calendrier initial.
30 hectares de terrain sont concernés et cette mise à disposition précoce doit permettre de bâtir plus rapidement son site et d'envisager une mise en service accélérée.
L'objectif reste de conserver son avance sur Samsung (et les autres fondeurs) et de profiter des opportunités du passage au 3 nm en recrutant rapidement des clients prêts à y mettre le prix. TSMC aimerait sans doute rééditer le coup de force sur la gravure en 7 nm qui lui avait permis de conquérir l'ensemble du marché en 2018, les autres acteurs n'étant pas encore prêts à se lancer.
