Semiconducteurs : face à Samsung et son 14 nm FinFET, TSMC va accélérer sur le noeud 10 nm

Le par  |  0 commentaire(s) Source : Digitimes
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TSMC accélèrerait ses projets de déploiement de technologies de gravure au noeud 10 nm pour contrer l'alliance Samsung / GlobalFoundries sur le 14 nm FinFET.

A mesure que le niveau de gravure des composants électroniques approche des barrières de la physique, les efforts et les coûts pour développer des technologies de gravure des composants s'accroissent de façon rapide.

Il peut être alors utile de s'associer entre fabricants de semiconducteurs pour partager les coûts de R&D et mettre en commun des équipements très onéreux. C'est ce qu'ont proposé les fondeurs Samsung et GlobalFoundries autour de la gravure en 14 nm avec transistors FinFET (transistors 3D), et qui leur permet de prendre les devants face à la concurrence.

Cela leur aurait déjà permis d'intéresser de très gros clients comme le spécialiste de la conception de puces mobiles Qualcomm ou encore le groupe Apple pour ses processeurs mobiles de prochaine génération.

TSMC logo Mais justement, cette offensive sur le noeud de gravure 10 nm est en train de stimuler la concurrence. Le fondeur taiwanais TSMC, premier visé par le regroupement Samsung / GlobalFoundries, aurait accéléré ses propres projets en la matière pour ne pas se laisser distancer.

Le groupe taiwanais, qui travaille sur de la gravure en 16 nm FinFET et dont l'entrée en production est prévue fin 2014 avant une montée en charge sur le premier semestre 2015, aurait révisé ses plans en prévoyant de passer directement à une technologie de gravure en 16 nm FinFET Plus, dont le processus de fabrication est censée consommer moins d'énergie et réduire encore la taille des substrats silicium.

TSMC, qui profite actuellement de ses fortes capacités de production en 20 et 28 nm, n'a donc pas dit son dernier mot dans la guerre des fondeurs et il compte bien rester dans la course pour le noeud de gravure 10 nm, même s'il n'attendait pas l'arrivée de Samsung aussi rapidement sur le 14 nm.

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