Samsung finalise aussi sa gravure en 7 nm EUV

Le par  |  2 commentaire(s) Source : EE Times
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Si Samsung s'est fait déborder sur la gravure en 7 nm par TSMC, le groupe coréen compte proposer une technique plus élaborée grâce à la lithographie EUV. Les premiers composants commencent à sortir des lignes de production.

En 2018, le fondeur taiwanais TSMC a su capter la quasi-totalité des clients pour la gravure en 7 nm en proposant une technique de base qu'il entend désormais raffiner grâce à la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet) d'ici l'an prochain.

Samsung EUV gravure 7 nmSon concurrent Samsung a fait le choix de débuter directement en 7 nm EUV pour proposer du 7 nm LPP (Low Power Plus), ou 7LPP, améliorant légèrement les performances des puces gravées avec ce procédé, mais dont les faibles rendements initiaux ont dû être améliorés, retardant sa mise en oeuvre.

Les difficultés techniques semblent être désormais surmontées et les premières puces gravées en 7 nm LPP commencent à sortir des lignes de production avant la montée de la cadence de production.

Si TSMC a fait une razzia parmi les clients intéressés par la gravure en 7 nm, Samsung aurait tout de même trouvé des opportunités parmi les équipementiers réseau (Cisco ?), les géants du Net et certaines commandes venant du groupe Qualcomm, spécialisé dans les puces mobiles, indique EE Times. Cependant, les annonces de partenariat ne seront pas évoquées avant l'an prochain.

Pour ses systèmes EUV, Samsung a utilisé une source d'émission de 250 Watts permettant une production de 1500 wafers / jour mais qui est passée depuis à 280 Watts et devrait atteindre 300 Watts ultérieurement.

Selon les observateurs, Samsung aurait environ six mois d'avance sur la technique de lithographie EUV sur TSMC mais ce dernier dispose des clients et de ressources lui permettant de voir plus loin.

La prochaine bataille se jouera sur la gravure en 5 nm et les deux fondeurs seraient prêts à passer en préproduction dès 2019. Samsung a même commencé à évoquer de la gravure en 4 nm, toujours en FinFET, avant de devoir changer de technique et passer au GAAFET pour la gravure en 3 nm lors de la prochaine décennie.

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Vos commentaires

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Le #2037303
Les faibles rendements ? c.a.d. ?
.
Le rebut est-il inférieur à 50% ?
Le #2037482
ca me casse les couilles cette amélioration planifiée.
si samsung veut tuer le marché ils n'ont qu'a produire à du 2 microns directement.

ca fait des lustres que les fabricants se foutent de notre gueule en augmentant petit a petit les perfs.
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Anonyme
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