Samsung vient de confirmer ses résultats records pour le troisième trimestre 2025, portés par la demande en IA qui facilite la vente de ses composants mémoire avancés.
Le géant coréen en profite pour dévoiler sa feuille de route agressive pour 2026 : la production de masse de la mémoire HBM4, de la GDDR7 24Gb et des modules DDR5 de 128Go est officiellement enclenchée.
L'IA, moteur d'une performance record
La division semi-conducteurs de Samsung a enregistré des ventes trimestrielles historiques, avec un chiffre d'affaires consolidé de 86 100 milliards de wons (environ 59 milliards d'euros). C'est bien la frénésie autour de l'IA qui tire ces résultats.
La demande explosive pour la mémoire HBM3E actuelle et les SSD pour serveurs a permis à l'entreprise d'afficher cette santé financière éclatante. Fort de ce succès, Samsung prépare déjà activement la suite.
L'entreprise a confirmé qu'elle répondrait à la demande croissante pour le T4 2025 avec sa HBM3E et ses modules DDR5 haute densité.
HBM4 : la prochaine génération déjà en test
La véritable annonce concerne 2026. Samsung a officiellement commencé à expédier des échantillons de sa mémoire HBM4 de nouvelle génération à ses "clients clés". Ces puces sont destinées à équiper les futurs accélérateurs IA, notamment les très attendues séries Rubin de NVIDIA et Instinct MI400 d'AMD.
Cette HBM4 promet des performances de pointe, avec des débits allant jusqu'à 11 Gbps par circuit intégré. Fait intéressant, Samsung semble, tout comme son concurrent Micron, vouloir dépasser les spécifications de base du JEDEC (qui visent 2 To/s).
Pour soutenir cette ambition, Samsung prévoit une expansion de sa capacité de production en 1c (la 6e génération de 10nm) pour répondre à la demande HBM4 qui s'annonce déjà massive.
2nm GAA et GDDR7 complètent le tableau
La mémoire HBM ne vient pas seule. Le géant coréen synchronise cette avancée avec la montée en puissance de son procédé de gravure en 2 nm GAA (Gate-All-Around).
La fonderie se concentrera sur la fourniture stable de ces nouveaux produits 2nm dès 2026, incluant le "base die" (la puce logique de base) nécessaire à la HBM4.
Ce process 2nm, dont la production doit s'intensifier dès ce trimestre, servira également aux futurs SoC Exynos maison et Snapdragon de Qualcomm. Parallèlement, l'usine de Taylor, au Texas, devrait entrer en service en 2026 pour soutenir cette production.
Enfin, la mémoire GDDR7 (avec des puces de 24Gb) est aussi au programme pour 2026. Elle devrait équiper les futures cartes graphiques haut de gamme, comme les potentielles NVIDIA RTX 50 Super ou les futures architectures AMD.
Cette focalisation intense sur l'IA a cependant un revers. La production étant massivement détournée vers ces produits à haute valeur ajoutée, le marché grand public commence à subir des pénuries.
Les prix des SSD et de la mémoire DDR5 sont déjà en forte hausse, et tous les fabricants signalent que cette tendance devrait se poursuivre début 2026.
