Semiconducteurs : Samsung lance sa gravure 10 nm optimisée en 10LPP avant l'arrivée des nouveaux SoC mobiles

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Avant l'annonce officielle des SoC mobiles de nouvelle génération, Samsung rend opérationnelle sa gravure en 10 nm FinFET optimisée, 10LPP.

Alors qu'il y a de fortes chances que le SoC SnapDragon 845 soit présenté par Qualcomm début décembre (comme le SnapDragon 835 fut présenté en décembre 2016), le groupe Samsung, qui doit produire la puce mobile en 10 nm FinFET, vient opportunément d'annoncer une évolution optimisée de sa technique de gravure, passant de 10LPE (Low Power Early) à 10LPP (Low Power Plus).

C'est sans doute celle qui sera utilisée pour graver le SoC SnapDragon 845 mais aussi son propre SoC Exynos 9810 qui trouvera place dans les smartphones Galaxy S9 et S9+.

A elle seule, la gravure en 10LPP promet 10% de performances supplémentaires et 15% de consommation d'énergie en moins par rapport au 10LPE, indépendamment des améliorations intrinsèques des puces mobiles.

Samsung S3 gravure 10 nm

L'usine S3 de Samsung Foundry Business

Et puisqu'elle profite en grande partie des travaux de mise en production du 10LPE, la gravure 10LPP bénéficie d'un démarrage opérationnel plus rapide pour de la production de masse, et avec des rendements immédiatement plus élevés.

Une ligne de production S3 a donc démarré à Hwaseong, en Corée du Sud, après S1 à Giheung, également en Corée, et S2, à Austin (Texas), cette dernière se concentrant sur la future gravure en 7 nm FinFET grâce à la lithographie EUV (Extreme Ultra Violet).

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